โตชิบาพยายามพัฒนา flash memory เพื่อเพิ่มความจุในการจัดเก็บหน่วยความจำให้มากขึ้นแต่ใช้พื้นที่จำนวนน้อยลงมา โดยการผลิตหน่วยความจำที่มีขนาดเล็กเพียง 19 นาโนเมตรที่มารองรับการใช้งาน NAND flash memory ได้สูงสุด128GB ซึ่งโตชิบาได้ส่งตัวอย่างไปทดสอบและคาดว่าจะสามารถใช้งานได้ในปีนี้